中国芯片制造迎难而上,将试产7nm工艺,缩短与台积电的差距

据悉中国最大的芯片代工厂中芯国际预计将在4月份试产7nm工艺,这意味着中芯国际即使缺乏EUV光刻机也尝试量产7nm工艺,这对于中国芯片制造业有重要的意义。

中国芯片制造迎难而上,将试产7nm工艺,缩短与台积电的差距

由于众所周知的原因,中国芯片制造企业目前难以获得EUV光刻机,这对于5nm及更先进工艺来说非常关键,而采用DUV光刻机则虽然也可以量产7nm工艺,但是这已是DUV光刻机的极限。

此前台积电就是采用DUV光刻机投产了7nm工艺,此后时隔一年时间才采用EUV光刻机投产7nmEUV工艺。据分析指出,7nmEUV工艺较7nm工艺提升了20%的晶体管密度,同时降低了6%-12%的功耗可以说是巨大的进步。

7nmEUV工艺能取得如此巨大的进步与EUV光刻机的技术升级分不开,EUV是极紫外线的简称,DUV则是深紫外线的简称,DUV的波长为193nm,而EUV的波长则为十几nm,利用波长更短的EUV光刻机可以降低生产成本并且提升芯片的性能。

中国芯片制造迎难而上,将试产7nm工艺,缩短与台积电的差距

中芯国际采用DUV光刻机开发出接近7nm工艺的技术可以说是一个巨大的进步,这意味着中芯国际正迅速缩短与台积电的技术差距,同时也将取得对联电和格芯的技术领先优势,联电和格芯已确定放弃7nm及更先进的工艺。

中芯国际如果顺利量产7nm工艺可望有助于增强中国芯片产业链的实力,目前中国大陆投产的最先进工艺分别是台积电南京工厂的16nmFinFET和中芯国际的14nmFinFET,如果中芯国际拥有先进的7nm工艺,中国大陆的本土芯片企业可以就近流片,节省流片时间和成本,加快芯片研发进程。

同时中芯国际研发出7nm工艺,将有助于它为更先进的工艺积累技术,一旦获得EUV光刻机就可以迅速展开5nm工艺的研发。

当下全球的芯片制造产能均出现紧张局面导致价格上涨,由于目前仅有台积电和三星拥有7nm及更先进工艺导致这些工艺的价格上涨幅度更大,如果中芯国际能投产7nm工艺将有助于它获得更多利润,去年下半年由于14nmFinFET工艺的拉动它就取得了净利润倍增,可见先进工艺的利润非常丰厚,有了更多的利润也有助于中芯国际投资研发更先进工艺,这是一种良性循环。

中国芯片制造迎难而上,将试产7nm工艺,缩短与台积电的差距

面临如此困难情况下,中芯国际依然奋力前行,体现了中国芯片制造企业的艰苦奋斗决心。芯片制造产业链也在努力向前,上海中星微电子也在努力开发自主研发的光刻机,相信在中国各方的努力下,中国芯片制造业终究有一天能实现完全自主研发。

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原文出处:柏铭2018

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