10月3日,据台媒《经济日报》报道,台积电拥有先进制程优势同时,也在积极布局第三代半导体,与联电、世界先进、力积电等同行共同争抢第三代半导体庞大商机。

抢攻第三代半导体,台积电第二代硅基板GaN技术平台预计今年完成-壹柒界

报道指出,晶圆代工四强在营运策略上,不仅要降低行业景气循环带来的冲击,更要在5G射频、人工智能(AI)、高性能计算(HPC)、汽车电子增长确立的趋势下,先蹲好马步练功,瞄准下一波的产业成长动能。

台积电董事长刘德音提及,第三代半导体产值偏小,应用端以汽车领域为多,属于特殊技术。尽管现阶段仍无法跟硅基(silicon base)半导体相比,不过台积电第三代半导体的产量应该还是最大。

业内人士指出,台积电与IDM厂及IC设计厂商合作,第一代硅基板氮化镓(GaN on Si)技术平台,已于去年完成并进一步强化,支持多元应用,开发中的第二代硅基板GaN技术平台预计今年内完成。

联电以转投资联颖光电投入第三代半导体。日前联颖研发副总邱显钦分析,联电集团和台积电在第三代半导体发展策略并不相同,台积电聚焦的是氮化镓(GaN)、主攻功率半导体,联电则是功率与微波并进。

此外,世界先进则是与设备材料、硅基板厂携手合作,开发8英寸新基板材料。世界先进认为,虽然化合物半导体占半导体整体市值仅1%,但氮化镓、碳化硅等新材料衍生的商机可期。